5月4日，深耕国内射频前端国产替代的慧智微（688512.SH）开启网上公开申购。据了解，慧智微专注于射频前端芯片及集成化模组的设计研发，公司以射频功率放大器PA芯片为核心，已经衍生出低噪声放大器（LNA）、射频开关（Switch）、集成无源器件滤波器（IPD Filter）、控制及系统级封装等方面的设计技术，具有高集成射频模组研发能力，下游广泛应用于智能手机、物联网等领域。

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公司所处的射频前端芯片行业空间广阔、国产化程度低，公司产品覆盖的通信频段包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕频段、3GHz〜6GHz的5G新频段等，可为客户提供无线通信射频前端发射模组芯片、接收模组芯片等成熟的解决方案。

作为一家以技术驱动为核心竞争力科创企业，公司积极加大研发投入，2020年至2022年，公司累计研发投入48,905.65万元，占营业收入的比例为45.37%。凭借突出的技术研发能力，2020年，公司在国产厂商中率先大规模量产5G L-PAMiF产品，并陆续应用于OPPO、三星、vivo等品牌客户机型。目前，大基金二期持有公司6.54%股份。

自研可重构射频前端平台 “绝缘硅+砷化镓”铸造竞争壁垒

在射频功率放大器领域，传统射频PA采用全砷化镓功率放大器结合体硅控制器的宽带设计架构，该设计架构已经被国际射频前端龙头企业所垄断。如果新进企业采用固有的技术跟随和产品模仿策略，则需要多次设计迭代找到最优设计方案，同时全球产能供应有限，成本较高，严重依赖规模效应，为国产厂商设置了较大的专利门槛、规模门槛和成本门槛。

公司研发了拥有自主知识产权的AgiPAM®可重构射频前端平台，采用“绝缘硅（SOI）+砷化镓（GaAs）”的混合架构，创新性的将模拟预失真（APD）应用于多频段、多模式和多载波的4G/5G系统中，同时提出并设计了可重构射频功放的记忆效应消除电路，突破国际巨头的专利壁垒。

公司“多频多模移动终端可重构射频芯片关键技术与产业化应用”项目获得了2021年通信学会科学技术一等奖。据了解，获奖产品相对于传统方案芯片产品，在移动终端射频芯片关键频段的功耗降低了15%、线性度改善了4dBc、负压电路启动时间减少50%，大幅提升射频前端的集成度，并在射频前端中成功实现全倒装封装，进而实现产品性能提升、成本降低。

深度布局5G射频前端产品线，引领5G L-PAMiF产品演进

在5G市场中，由于新频段（3GHz〜6GHz）的高频率、大带宽、高功率特征，为射频功率放大器的设计带来较大挑战，且对射频前端器件的集成度要求越来越高。慧智微基于底层技术架构创新，于2020年推出5G新频段L-PAMiF全集成发射模组产品进入头部客户供应体系，已在OPPO、三星等品牌机型上大规模量产应用，产品受到市场的认可度较高，报告期内累计出货已超千万颗。

公司的5G新频段L-PAMiF在国产厂商持续保持技术领先优势，该产品在2020年中国集成电路产业促进大会中荣获第十五届“中国芯”年度重大创新突破产品，系该奖项设立以来的首个获奖的射频前端产品。

公司持续跟进客户需求和技术升级趋势，为全球客户提供完整的5G新频段射频前端解决方案。目前，公司在售的产品型号众多，产品系列覆盖的通信频段需求包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕频段、3GHz~6GHz的5G新频段等，后续推出的多款产品均荣获大奖。如可支持n77/n78频段的1T1R/1T2R L-PAMiF产品荣获第十六届“中国芯”优秀技术创新产品奖、可重构多频多模功率放大器模组（MMMB PAM）荣获第十七届“中国芯”优秀市场表现产品奖项。

凭借高集成度、高性价比、性能可靠稳定的特点，以及5G新频段产品的口碑和技术沉淀，公司赢得了头部客户的认可，形成了良好的品牌效应。目前，公司的射频前端模组已经在三星全球畅销系列A22 5G手机、OPPO、vivo、荣耀等智能手机机型中实现大规模量产，并进入闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等一线移动终端设备ODM厂商。

此外，公司积极布局物联网领域，在2G/3G退网的趋势下大力拓展LTE Cat.1 蜂窝连接领域的市场机会。公司已经与头部的Cat.1通信模块公司达成战略合作，4G发射模组进入移远通信、广和通、日海智能等头部无线通信模组厂商，广泛应用于资产追踪、车载运输、数字标牌、无线支付、智慧能源、智能可穿戴设备等众多物联网场景。

高集成化的技术储备充分 L-PAMiD 产品有望继续领先

公司以研发创新为核心，截至2022年末公司研发团队共计212人，核心技术人员平均从业年限超过15年，具备从砷化镓器件、绝缘硅器件、基板，到集成化模组等完整的研发设计能力，可同时支撑超过10个中大型研发项目。

公司沉淀了大量的技术积累，形成了完善的产品矩阵。例如，公司的“多功能模块的低互扰高集成技术”可以实现将多个绝缘硅材料的晶圆进行单芯片集成，降低了5G新频段射频前端空间布局的难度，有利于实现高集成度；公司采用全倒装封装技术，提高了器件之间的排布密度, 实现射频前端模组的小型化，提高了高集成度、高功率产品的散热能力。此外，公司在可重构射频前端架构中积累了处理大带宽、大电流、线性度不足等技术问题的相关技术和经验。

慧智微基于自主创新的技术架构，优化芯片面积和性能，具有5G L-PAMiF高集成模组的成功基础，以及在手机客户端领先的技术认知，慧智微有望实现L-PAMiD的产品在国内行业内继续领先。

截至报告期末，公司已获取境内发明专利66项，境外发明专利25项。一方面，公司在射频前端领域构筑了完整的专利池，规避采取跟随策略带来的专利风险；另一方面，高集成度相关的技术积累将助力公司持续发展。二者共同支撑公司走向国际市场、参与全球化竞争。